氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，，，非常适用于研制高频、
、、、大功率器件。。。大功率、、高频率射频GaN基器件通常在SiC衬底上制造，，但SiC的导热率不足以满足GaN基器件的散热要求，，，散热问题成为制约GaN基功率器件进一步发展和广泛应用的主要技术瓶颈之一。。金刚石的热导率是SiC的几倍，，
，它的高导热性使其成为一种优越的散热材料，
，
，是GaN器件热沉的首选材料。。
。。GaN-金刚石结构可以大大提高器件的冷却效率，
，，，GaN和金刚石的室温键合是制造该结构的有效技术
。。

日本大阪公立大学梁剑波教授课题组，，在之前的研究中已经证明了GaN和金刚石在室温下通过表面活化键合（SAB）方法能够直接键合，，，，GaN/金刚石键合界面实现了1000°C的热处理下仍保持键合状态，，并且对于GaN基器件具有优异的实用性。
。。。然而，，，，晶片直接键合技术要求键合材料具有非常高的表面平整度。。。

本研究通过SAB方法和沉积SiC层，，
，实现了GaN和粗糙表面金刚石的室温键合，，，
，并评估了1000°C下键合的GaN/金刚石界面的热稳定性。。对于键合界面
，，，使用了高倍率透射电镜(TEM)，，，，能量弥散X射线（EDX），，，电子能量损失谱（EELS）, 拉曼光谱等分析手段进行了系统性的研究。。

通过沉积7 nm厚的非晶SiC作为中间介质，，，大大降低SAB技术对金刚石表面粗糙度的要求。。1000 ℃热处理后形成的SiC层厚度略有增加
，，这是因为SiC层中由游离的Si和C生成SiC，，且非晶SiC在热处理后变成多晶结构。。
。即使高温处理后键合界面处也没有观察到空隙，，这表明金刚石-SiC的键合界面具有优异的热稳定性。
。。研究结果表明，，SiC层的沉积可以降低对金刚石表面粗糙度的要求，，，，促进多晶金刚石和半导体材料的室温键合
。。。

商界晶圆级金刚石已成功与氮化镓键合，，
，商界生产的高品质晶圆级金刚石热导率1000-2000W/m.k，，，表面粗糙度Ra＜1nm，，，翘曲度Warp＜100um，
，
，，转为键合定制，
，，，助力金刚石与氮化镓键合成功。。。