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良好的散热可以通过降低电子元件中的体积热阻和界面热阻来进行。。由于晶体管的结温受其芯片内散热能力的限制，，需要将高热导率材料放置在芯片热点附近，，，，以最大限度地降低器件温升。。

与现有的GaN-on-SiC HEMT相比，，GaN-on-Diamond结构可提供更低的结温，，并大幅提高器件的功率处理能力，，预计将提高3倍以上。。这样的提高可以降低系统整体的冷却要求，，也提高了器件的可靠性。。。




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