商界全球首创，，，，创新研发金刚石基氮化铝，
，
，XRD（0002）摇摆曲线半峰宽＜3°, 金刚石超高热导率（室温下热导率可达2000W/m.K）,生长面表面粗糙度Ra＜2nm（氮化铝厚度200nm），
，，助力氮化铝崭新应用。
。 

氮化铝是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料，，
，，具有很多优良的性质，，，，如其禁带宽度高达6.2eV，，，，同时具有高击穿场强、、高饱和电子迁移率、、高化学和热稳定性
，，，，及高导热、、抗辐射等优异性能，，，因此氮化铝是紫外／深紫外LED、、
、紫外LD最佳衬底材料，，也是高功率、、、高频电子器件理想衬底材料。。。。此外，，，，氮化铝具有优良的压电性、、、、高的声表面波传播速度和较高的机电耦合系数
，
，是GHz级声表面波器件的优选压电材料
。。

氮化铝的优势

• 直接带隙，，
，禁带宽度6.2eV，，是重要的深紫外和紫外发光材料

• 高击穿电场强度、、高热导率、
、高绝缘性、、、、低介电常数、、、
、低热膨胀系数、
、机械性能好、、、耐腐蚀，
，
，常用于高温高频高功率器件

• 非常好的压电性能（特别是沿C轴方向），，是目前制备各种传感器、
、、
、驱动器以及滤波器的最佳材料之一

• 与GaN晶体有非常接近的晶格常数和热膨胀系数，，是异质外延生长GaN基光电器件的优选衬底材料

氮化铝具备优异的物理性能：

• 原子间以共价键相结合，，，，化学稳定性好、、熔点高；

• 机械强度高
、、
、电绝缘性能佳，，
，是一种压电和介电材料；

• 晶体薄膜硬度高，，可作为耐磨涂层；

• 高电阻率、
、较低的漏电流以及大的击穿场强
，，
，，使得其成为微电子器件中绝缘埋层材料的最佳选择之一；

• 制备工艺与CMOS兼容，
，可以和其他器件集成到同一芯片上；

• 具备非铁电材料中最好的声波传播速度，，且拥有无与伦比的压电响应，
，可用于制作高性能的声表器件；

• 是一种宽禁带材料，，，，并具有直接带隙，，，
，是重要的蓝光和紫外发光材料；

• 沿c轴取向具有非常好的压电性和声表面波高速传播性能，，传声速度快，，，是所有无机非铁性压电材料中最高的。。。。